隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧
来源:
|
作者:pro75e66c
|
发布时间: 2013-03-26
|
5068 次浏览
|
分享到:
功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。这里介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用,这不仅是因其所具有的高输出电流驱动能力,及开关速度快等长处之外,更重要的,它也具有保护功率器件的所需功能。这些功率器件的保护功能包括欠压锁定(UVLO),DESAT检测,和有源米勒钳位。在电力转换器,电机驱动,太阳能和风力发电等系统的应用上,所有这些保护功能都是重要的,因它确保这些系统能安全和稳定的操作。另外,能把握如何正确的选用,设计这些光耦栅极驱动器来有效的使用/控制这些功能使到整个系统更简单,高效,可靠,是系统设计工程师不可或缺的技能!